ネットワーク
上面照射型モニターフォトダイオードチップ
1270～1620 nmの波長範囲のチャネルモニタリングに標準または大面積のフォトダイオードを選択すると、極めて低い暗電流からのメリットが得られます。
これらのInGaAsモニターフォトダイオードチップは、255 μm x 255 μmまたは円形Ø 550 μmのいずれかの検出エリアで利用できます。トランシーバーやトランスポンダーへの組み込みが簡単な、より小型のオプションは、非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に準拠しています。
上面照射型モニターフォトダイオードチップ
高い信頼性と広い動作温度範囲（-40～90℃）のメリットがあるため、高性能通信部品に使用できます。
主な機能
統合とアライメントが容易な上部照射型
動作温度-40°C～+90°C
1270～1620波長範囲
高い信頼性
アクティブエリアの選択 – 255 μm x 255 μmまたは円形Ø 550 μm。
255 μm x 255 μmはGR-468規格準拠、標準応答性0.9 A/W、暗電流2 nA
Ø 550 μmの標準応答性1 A/W、暗電流1 nA
