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エッジ発光型モニターフォトダイオード（EMPD）チップ

Edge-Illuminated Self-Hermetic Monitor Diode (EMPD) Chip

これらの自己密閉型デバイスは、1270～1620 nmの波長範囲でチャネルモニタリングに使用でき、標準的な応答性は1310 nmで0.8 A/Wです。

このコンパクトな端面照射型InGaAsモニターフォトダイオードチップは、公称アクティブエリア210 μm x 210 μm、動作温度範囲-40°C～90°Cを特徴としています。これにより、トランシーバー、トランスポンダー、その他デバイスへの統合が容易になります。

エッジ発光型モニターフォトダイオード（EMPD）チップ

これらのGR-468規格準拠チップを非密閉型パッケージで使用することで、高い信頼性と極めて低い暗電流を備えた高性能通信コンポーネントを製作できます。

データシート

主な機能

  • 広いアクティブエリア - 公称210 μm x 210 μm

  • 動作温度-40°C～+90°C

  • 非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠

  • 極めて低い暗電流と高い信頼性

  • 1310 nmで0.8 A/Wの標準応答性で1270～1620 nmに応答

  • RoHS適合

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