ネットワーク
100 Gbps PAM4 DFBレーザダイオードチップ
NRZまたはPAM4（4レベル）変調をベースとした高速非冷却式トランシーバーには、4つのOバンドCWDM波長すべてで利用できる13XX nmレーザダイオードチップを使用できます。
これらの小型チップは、0～+85°Cの広い動作温度範囲と、上部アノードと裏面カソードの構成により、プラガブルトランシーバーへの組み込みが非常に容易です。高い信頼性を特徴とし、RoHSに完全準拠しています。
CWDM DFBレーザダイオードチップ
これらのチップは、ギガビットイーサネットやストレージエリアネットワーク、5Gワイヤレスフロントホールデータリンクで使用できます。非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に合わせて設計されています。
主な機能
非冷却式100 Gbps PAM 4に最適
非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に合わせて設計
上部アノードと裏面カソードの構成
RoHS適合
使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm
