SiC-Leistungsgeräte und -Module
Diskrete Siliziumkarbid-MOSFETS
Erstellen Sie Leistungsumwandlungssysteme mit verbessertem Wirkungsgrad und niedrigeren Betriebstemperaturen mit unseren SiC-MOSFETs für hohe Spannungen und hohe Schaltfrequenzen.
Die SiC-MOSFETs von Coherent bieten im Vergleich zu bestehenden Silizium-Bauelementen eine überragende Energieeffizienz und Leistung. Sie sind das einzige Produkt auf dem Markt, das eine Sperrschichttemperatur von 200 °C erreichen kann und über branchenführende Lawinenwerte sowie einen überragenden RDS(on) verfügt.
Siliziumkarbid-MOSFETs – Eigenschaften
Hohe Spannung und niedriger RDS(on) bis 200 °C.
Schnelles Schalten durch extrem niedrigen Gate-Widerstand.
Sehr geringe, temperaturinvariante Schaltverluste.
Lawinenrobustheit, die der von Silizium überlegen ist
Body-Diode mit schneller Erholung für synchrone Gleichrichtung.
