SiC-Leistungsgeräte und -Module
Siliziumkarbid-Bare-Die-MOSFETs
Entwickeln Sie Leistungselektronik für die anspruchsvollsten Anwendungen im Automobilbereich und nutzen Sie die unübertroffenen Effizienz-, Frequenz-, Temperatur- und Spannungseigenschaften von SiC.
Die SiC-Bare-Die-MOSFETs von Coherent nutzen eine bewährte Technologieplattform (lizenziert von GE Aviation Systems), um branchenführende FIT-Raten zu erzielen. Sie sind nach AEC-Q101 für Automobilanwendungen zugelassen und bieten eine branchenführende Sperrschichttemperatur von 200 °C.
Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs – Eigenschaften
Hohe Spannung und niedriger RDS(on) bis 200 °C.
Schnelles Schalten durch extrem niedrigen Gate-Widerstand.
Sehr geringe, temperaturinvariante Schaltverluste.
Lawinenrobustheit, die der von Silizium überlegen ist
Body-Diode mit schneller Erholung für synchrone Gleichrichtung.
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