ネットワーク

データ通信用フォトダイオード

850nm GaAs PIN Photodiode

高速データ通信の厳しい仕様を満たす必要がある場合は、1、4、または12チャネルの選択肢がある、当社の850 nmフォトダイオードアレイを使用できます。

この高性能で高信頼性のデバイスは、最大14 Gbps、28G、50G、および100Gのデータ転送速度に対応するよう、電気的寄生を低く抑えて設計されています。低動作電圧で、上面アノードとカソード構成により、統合が容易です。

850 nmフォトダイオードアレイ – 製品オプション

高応答性（～0.60 A/W）、低暗電流（標準で数pA）、低容量（～125 fF）が必要な場合は、このコンパクトなアレイを使用します。ハロゲンおよびRoHSに準拠しています。

データシート

モデル番号

チャネル数 

最大データレート（Gbps） 

ダイ長さ（μm） 

ダイ幅（μm）

ダイ高さ（μm） 

APA1101010000

1 

14

225 ± 25 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101040000

4 

14

975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101120000

12 

14

2975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1201010000

1 

25

220 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201040000

4 

25

970 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201120000

12 

25

2970 ± 10 

240 ± 20

150 ± 15 

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