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适用于 14G 和 25G 的光电二极管阵列

850nm GaAs PIN Photodiode

当您需要满足高速数据通信的严格规范时，请使用我们的 850 nm 光电二极管阵列，并可选择 1、4 或 12 个通道。 

这些高度可靠的高性能设备采用低电气寄生参数设计，最大数据速率高达 14 Gbps 或 25 Gbps。它们具有低工作电压且采用顶部阳极和阴极配置，方便集成。 

850 nm 光电二极管阵列 – 产品选项

当您需要高响应度 (~0.60 A/W)、低暗电流（通常为几 pA）和低电容（~125 fF）时，请使用这些紧凑型阵列。它们符合卤素和 RoHS 标准。

数据表

型号

通道数量 

最大数据速率 (Gbps) 

裸片长度 (µm) 

裸片宽度 (µm)

裸片高度 (µm) 

APA1101010000

第 1 期 

14

225±25

245±20

150±15

APA1101040000

4 

14

975±20

245±20

150±15

APA1101120000

12

14

2975±20

245±20

150±15

APA1201010000

第 1 期 

25

220±20

240±20

150±15

APA1201040000

4 

25

970±20

240±20

150±15

APA1201120000

12

25

2970±10

240±20

150±15

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