Netzwerktechnik

Fotodioden für die Datenkommunikation

850nm GaAs PIN Photodiode

Verwenden Sie unsere 850-nm-Fotodiodenarrays, wenn Sie strenge Spezifikationen für Hochgeschwindigkeitsdatenkommunikation mit einer Auswahl von 1, 4 oder 12 Kanälen erfüllen müssen.

Diese hochleistungsfähigen, hochzuverlässigen Geräte sind mit geringen elektrischen Parasitika für maximale Datenraten von bis zu 14 Gbit/s oder 28G, 50G und 100G ausgelegt. Sie zeichnen sich durch eine niedrige Betriebsspannung und eine Anoden- und Kathodenkonfiguration auf der Oberseite aus, was eine einfache Integration ermöglicht.

850 nm Fotodiodenarrays – Produktoptionen

Verwenden Sie diese kompakten Arrays, wenn Sie eine hohe Ansprechempfindlichkeit (~0,60 A/W), einen niedrigen Dunkelstrom (typischerweise einige pA) und eine niedrige Kapazität (~125 fF) benötigen. Sie sind Halogen- und RoHS-konform.

Datenblätter

Modellnummer

Anzahl von Kanälen  

Max. Datenrate (Gbit/s) 

Chiplänge (µm) 

Chipbreite (µm)

Chiphöhe (µm) 

APA1101010000

1 

14

225 ±25 

245 ±20

150±15 

APA1101040000

4 

14

975 ±20 

245 ±20

150±15 

APA1101120000

12 

14

2975 ±20 

245 ±20

150±15 

APA1201010000

1 

25

220 ±20 

240 ±20

150±15 

APA1201040000

4 

25

970 ±20 

240 ±20

150±15 

APA1201120000

12 

25

2970 ±10 

240 ±20

150±15 

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