SiCパワーデバイスおよびモジュール

シリコンカーバイドベアダイMOSFET

SiCの比類のない効率、周波数、温度、電圧能力を使用して、最も要求の厳しい車載用途向けのパワーエレクトロニクスを構築します。

Coherent SiCベアダイMOSFETは、実績のある技術プラットフォーム (GE Aviation Systemsからライセンス供与) を使用して、業界トップクラスのFITレートを実現します。車載用途向けのAEC-Q101規格で、業界をリードする200°Cのジャンクション温度に対応します