SiC 전력 장치 및 모듈

실리콘 카바이드 베어 다이 MOSFET

Silicon Carbide MOSFETs

SiC의 탁월한 효율성, 주파수, 온도 및 전압 성능을 이용하여 가장 까다로운 자동차 분야에 사용되는 전력 전자장치를 구축하십시오.

Coherent SiC 베어 다이 MOSFET은 성능이 입증된 기술 플랫폼(GE Aviation Systems에서 라이선스 제공)을 사용하여 업계 최고의 FIT율을 달성합니다. 자동차 분야에서 AEC-Q101 등급을 획득하였으며 업계 최고의 200°C 접합 온도 성능을 자랑합니다. 

베어 다이 실리콘 카바이드 MOSFET의 특징

  • 고전압, 낮은 RDS(on), 최대 200°C.

  • 초저 게이트 저항으로 고속 스위칭 가능. 

  • 스위칭 손실이 매우 적고 열에 의한 변화가 없음.

  • 애벌런치 견고성이 실리콘보다 뛰어남 

  • 동기 정류를 위한 고속 복구 바디 다이오드.

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