ネットワーク

50 GHzおよび35 GHzシングルフォトダイオード

Cバンドまたはデュアルバンド動作が必要な通信や研究・開発アプリケーションには、内蔵チップバイアスおよびオプションの低PDLのメリットを活用できる当社のフォトダイオードを使用することができます。

当社の高速デバイスにより、導波管とアクティブフォトダイオードの組み合わせを最適化できます。優れた直線性、高応答性、優れたRF応答平坦性を備えているため、高い光出力でも優れた性能を得ることができます。

高速フォトダイオード – いくつかの重要な詳細

光通信部品、先端部品の研究・開発、マイクロ波フォトニクスなどの用途で、0.5A/Wを超える高い応答性の利点を活用できます。

モデル番号

バンド幅(GHz)

50 Ω抵抗終端

波長バンド(nm)

偏光依存損失PDL(dB)

CXPDV2120R

50

1550

0.5

CXPDV2320R

50

1310および1550

0.5

CXPDV2150R

50

1550

0.25

CXPDV2350R

50

1319および1550

0.25

CXPDV2120

35

̵

1550

0.5

CXPDV2050

35

̵

1550

0.25