ネットワーク
50 GHzおよび35 GHzシングルフォトダイオード
Cバンドまたはデュアルバンド動作が必要な通信や研究・開発アプリケーションには、内蔵チップバイアスおよびオプションの低PDLのメリットを活用できる当社のフォトダイオードを使用することができます。
当社の高速デバイスにより、導波管とアクティブフォトダイオードの組み合わせを最適化できます。優れた直線性、高応答性、優れたRF応答平坦性を備えているため、高い光出力でも優れた性能を得ることができます。
高速フォトダイオード – いくつかの重要な詳細
光通信部品、先端部品の研究・開発、マイクロ波フォトニクスなどの用途で、0.5A/Wを超える高い応答性の利点を活用できます。
モデル番号 |
バンド幅（GHz） |
50 Ω抵抗終端 |
波長バンド（nm） |
偏光依存損失PDL（dB） |
CXPDV2120R |
50 |
✔ |
1550 |
0.5 |
CXPDV2320R |
50 |
✔ |
1310および1550 |
0.5 |
CXPDV2150R |
50 |
✔ |
1550 |
0.25 |
CXPDV2350R |
50 |
✔ |
1319および1550 |
0.25 |
CXPDV2120 |
35 |
̵ |
1550 |
0.5 |
CXPDV2050 |
35 |
̵ |
1550 |
0.25 |
