材料

III-V RFエピタキシャルウェハ

安定した高性能のIII-Vエピタキシャルウェハを使用することで、高速エレクトロニクス部品の製造効率、バンド幅、信頼性を向上させることができます。

Coherentは、先進的なIII-VI半導体エピタキシャルウェハの開発、設計、製造に関する広範な能力を備えています。お客様の用途に次世代技術を容易に導入し、大量生産をサポートします。

RFウェハの機能

ワイヤレスデバイス、データセンター、高速通信ネットワークなどに対応する2インチから6インチのウェハを供給します。

デバイスの種類

基材

材料の特性

ウェハの直径

EpiHBT®

GaAs

InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs

150 mmまで

InP

InP/InGaAs

100 mmまで

EpiBiFET®

GaAs

InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs

150 mmまで

InP

InP/InGaAs、InP/InAlAs

100 mmまで

EpiFET®

GaAs

AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs

150 mmまで

InP

InP/InGaAs、InP/InAlAs

100 mmまで