Werkstoffe
III-V RF Epitaxiewafer
Verbessern Sie Effizienz, Bandbreite und Zuverlässigkeit bei der Herstellung von elektronischen Hochgeschwindigkeitskomponenten, indem Sie mit unseren konsistenten, hochleistungsfähigen III-V-Epitaxiewafern beginnen.
Coherent verfügt über umfangreiche Kapazitäten für die Entwicklung, das Design und die Herstellung von fortschrittlichen III-VI-Halbleiter-Epitaxiewafern. Wir ermöglichen Ihnen die einfache Integration von Technologien der nächsten Generation in Ihre Anwendung und unterstützen Sie bei der Serienproduktion.
RF-Wafer – Fähigkeiten
Beschaffen Sie 2-Zoll- bis 6-Zoll-Wafer für drahtlose Geräte, Rechenzentren, Hochgeschwindigkeits-Kommunikationsnetzwerke und mehr.
Gerätetyp |
Basismaterial |
Werkstofffähigkeit |
Wafer-Durchmesser |
EpiHBT® |
GaAs |
InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs |
bis zu 150 mm |
InP |
InP/InGaAs |
bis zu 100 mm |
|
EpiBiFET® |
GaAs |
InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs |
bis zu 150 mm |
InP |
InP/InGaAs, InP/InAlAs |
bis zu 100 mm |
|
EpiFET® |
GaAs |
AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs |
bis zu 150 mm |
InP |
InP/InGaAs, InP/InAlAs |
bis zu 100 mm |
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