SiCエピタキシー

直径200mmまでのCoherent製高性能SiCエピタキシャルウェーハ上に構築することにより、市場投入までの時間を短縮し、コストを削減して、デバイス性能を向上させます。

Coherentは、バッファー付きまたはバッファーなしの厚膜エピレイヤー、低ドープ層、多層構造、pn接合、はめ込み/埋め込み構造、コンタクト層のオプションにより、総合的なSiC材料ソリューションを提供します。研究開発から量産までサポートします。

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最先端のSiCエピタキシー技術

LPE PE106によるクラス最高の層均一性

SiCパワーエレクトロニクスによるEV性能の向上

EVの性能向上に、SiCパワーエレクトロニクスが求められる理由をご覧ください。

研究施設やOEMから病院や歯科医に至るまで、専門家や機関がより良い成果を達成するために、Coherentがどのように支援しているかをご覧ください。

Coherentが次世代の高速光伝送システム、ネットワーク、データセンターソリューションをどのように実現しているかをご覧ください。

半導体からEVまで、世界で最も革新的な市場において、当社がどのように製造成果にパワーを与えているかをご覧ください。

健康、輸送、エンターテインメント分野のエレクトロニクス製品に関する情報源、エレクトロニクス、製造ツールを入手できます。

ウルトラファーストレーザのパイオニアが開発した、最先端の性能と産業上の信頼性を備えたレーザです。より良いデータをより早く取得し、より多くの情報を公開します。