Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis

SiC-Epitaxie

SiC Epitaxy

Beschleunigen Sie die Markteinführung, senken Sie die Kosten und verbessern Sie die Geräteleistung, indem Sie auf Hochleistungs-SiC-Epitaxiewafern von Coherent mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm aufbauen.

Coherent bietet eine Gesamtlösung für SiC-Werkstoffe mit Optionen für dicke Epilayer mit oder ohne Puffer, niedrig dotierte Schichten, Mehrschichtstrukturen, p-n-Übergänge, eingebettete/vergrabene Strukturen und Kontaktschichten und vieles mehr. Wir unterstützen Forschung und Entwicklung bis hin zur Serienproduktion.

SiC-Epitaxie-Fähigkeiten – Highlights

Datenblätter

Modernste SiC-Epitaxie-Technologie

  • Rekordniedrige Defektdichte durch effiziente Pufferschichttechnologie

  • Verhindert die Keimbildung kristalliner Defekte zu Beginn des Wachstums 

  • Umwandlungsrate von BPD in TED >99,8 % → 1 BPD pro cm2

  • Ermöglicht bipolare SiC-Gerätetechnologie

 

Erstklassige Schichthomogenität mit LPE PE106

  • Einstellbare seitliche Gasströme 

  • Hohe Wachstumsrate von 40 µm/h bei Verwendung von TCS als Siliziumvorläufer 

  • Dickschichtwachstum von 150 µm und mehr 

  • Niedrige Dotierungskonzentrationen von 1×1014/cm3

  • Ermöglicht >15 kV SiC-Bauteiltechnologie

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