SiC 衬底和外延片

射频电子器件中的 SiC

SiC for RF Electronics

利用我们高质量的半绝缘 SiC 衬底扩大 GaN-on-SiC 射频功率放大器以及其他射频和微波器件的生产规模。

Coherent 高意率先开发出了大直径、半绝缘 SiC 衬底，并提供高电阻率材料，以支持制造低功耗、高频且热稳定性良好的组件。

半绝缘碳化硅材料特性

Coherent 高意不断提高材料质量并增加衬底直径，使我们的客户能够提高设备性能并降低成本。

数据表

半绝缘碳化硅材料特性

物理特性

结构

六方单晶

直径

高达 200 mm

等级

初始、开发、机械

热特性

导热率

室温下 370 (W/mK)

热膨胀系数

4.5 x 10-6/K

比热 (25°C)

0.71 (J/g°C)

Coherent SiC 衬底的其他关键特性（典型值）

参数

半绝缘

多型体

6H

掺杂剂

钒

电阻率

>1019 Ohm-cm

方向

同轴

粗糙度 (Ra)

<5Å

位错密度

< 10,000 cm-2

微管密度

< 10cm-2

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