SiC基板とエピタキシー

パワーエレクトロニクス用SiC

SiC for Power Electronics

電気自動車やハイブリッド車、航空宇宙用途に使用される高温・高周波パワーエレクトロニクス用のMOSFET、IGBT、その他のコンポーネントを製造します。

当社の導電性SiC基板は、低抵抗率、低欠陥密度、高均質性、優れた結晶品質、高熱伝導性を兼ね備えており、低電力損失、高周波動作、優れた熱安定性を備えたデバイスを実現します。

n型シリコンカーバイドの材料特性

Coherentは、お客様がデバイスの性能向上とコスト削減を実現できるよう、継続的に材料の品質を改善し、基板の直径を拡大しています。

データシート

n型炭化ケイ素の材料特性

物理的特性

構造

六方晶、単結晶

直径

最大200 mm

グレード

プライム、開発、メカニカル

熱特性

熱伝導率

370 (W/mK)、室温

熱膨張係数

4.5 x 10-6/K

比熱 (25°C)

0.71 (J/g°C)

Coherent SiC基板の重要な追加特性 (代表値)

パラメータ

N型

ポリタイプ

4時間

ドーパント

窒素

抵抗率

>1019 Ohm-cm

向き

4°軸外

粗さ、Ra

<5Å

転位密度

～3,000 cm-2

マイクロパイプ密度

< 10cm-2

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