Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis
SiC für die Leistungselektronik
Stellen Sie MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt.
Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften
Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften |
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Physikalische Eigenschaften |
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Struktur |
Sechseckig, Einkristall |
Durchmesser |
Bis zu 200 mm |
Grade |
Prime, Entwicklung, Mechanik |
Thermische Eigenschaften |
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Wärmeleitfähigkeit |
370 (W/mK) bei Raumtemperatur |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
4,5 x 10-6/K |
Spezifische Wärme (25 °C) |
0,71 (J/g°C) |
Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte) |
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Parameter |
N-Typ |
Polytyp |
4H |
Dotierstoff |
Stickstoff |
Widerstand |
> 1019 Ohm -cm |
Ausrichtung |
4° außeraxial |
Rauhigkeit, Ra |
< 5 Å |
Versetzungsdichte |
~3.000 cm-2 |
Mikrorohrdichte |
< 10 cm-2 |
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