Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis

SiC für die Leistungselektronik

Stellen Sie MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für Hochtemperatur- und Hochfrequenz-Leistungselektronik her, für den Einsatz in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt.

Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Struktur

Sechseckig, Einkristall

Durchmesser

Bis zu 200 mm

Grade

Prime, Entwicklung, Mechanik

Thermische Eigenschaften

Wärmeleitfähigkeit

370 (W/mK) bei Raumtemperatur

Wärmeausdehnungskoeffizient

4,5 x 10-6/K

Spezifische Wärme (25 °C)

0,71 (J/g°C)

Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte)

Parameter

N-Typ

Polytyp

4H

Dotierstoff

Stickstoff

Widerstand

> 1019 Ohm -cm

Ausrichtung

4° außeraxial

Rauhigkeit, Ra

< 5 Å

Versetzungsdichte

~3.000 cm-2

Mikrorohrdichte

< 10 cm-2