Substrate und Epitaxie auf SiC-Basis
Stelle Sie ein breiten Spektrum von Hochleistungs-Leistungselektronikgeräten auf hochwertigen SiC-Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm her.
Weitere vorgestellte Assets

Sind Sie startklar?
Teilen Sie uns Ihre Kontaktdaten mit und ein Experte wird sich mit Ihnen in Verbindung setzen.