SiC 衬底和外延片

电力电子器件中的 SiC

SiC for Power Electronics

制造 MOSFET、IGBT 和其他组件，这些组件可用于电动和混合动力汽车以及航空航天应用中的高温、高频电力电子器件。

我们的导电 SiC 衬底结合了低电阻率、低缺陷密度、高均匀性、卓越的晶体质量和高导热性，使器件具有低功耗、高频特性和良好的热稳定性。

N 型碳化硅材料特性

Coherent 高意不断提高材料质量并增加衬底直径，使我们的客户能够提高设备性能并降低成本。

数据表

N 型碳化硅材料特性

物理特性

结构

六方单晶

直径

高达 200 mm

等级

初始、开发、机械

热特性

导热率

室温下 370 (W/mK)

热膨胀系数

4.5 x 10-6/K

比热 (25°C)

0.71 (J/g°C)

Coherent SiC 衬底的其他关键特性（典型值）

参数

N 型

多型体

4H

掺杂剂

氮

电阻率

>1019 Ohm-cm

方向

4° 离轴

粗糙度 (Ra)

<5Å

位错密度

~3,000 cm-2

微管密度

< 10cm-2

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