SiC 기판 및 에피택시

SiC 에피택시

SiC Epitaxy

최대 200mm 직경의 Coherent 고성능 SiC 에피택셜 웨이퍼를 이용하여 출시 시간을 단축하고 비용을 절감하고 장치 성능을 개선하십시오.

Coherent는 버퍼가 있거나 없는 두꺼운 에피층, 저도핑층, 다층 구조, p-n 접합, 임베디드/매립 구조 및 접촉층 등을 위한 옵션을 포함하여 SiC 재료에 관한 토탈 솔루션을 제공합니다. 당사는 R&D부터 양산까지 지원합니다.

SiC 에피택시의 주요 성능

데이터 시트

최첨단 SiC 에피택시 기술

  • 효율적인 버퍼 레이어 기술을 통해 결함 빈도를 기록적으로 낮춤

  • 성장 시작 시 결정핵 생성 결함 방지 

  • BPD-TED 전환율 >99.8% → cm2당 1 BPD

  • 바이폴라 SiC 장치 기술 구현

 

LPE PE106으로 동급 최고의 층 균질성 달성

  • 측면의 가스 흐름 조절 가능 

  • TCS를 실리콘 전구체로 사용하여 40µm/h의 높은 성장 속도 구현 

  • 150μm 이상의 두꺼운 층 성장 

  • 1×1014/cm3의 낮은 도핑 농도

  • 15kV를 초과하는 SiC 장치 기술 구현

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