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고출력 100mW DFB 레이저 다이오드 칩

1300 nm 100 mW CW CWDM4 DFB Laser Diode Chips

냉각되지 않은 경우 100mW의 출력 전력과 냉각 시 300mW의 출력 전력을 확보하여 최첨단 O-밴드 트랜시버에 대해 각각 레인당 100Gbps 및 200Gbps를 구현할 수 있습니다.

비냉각식 DR4 및 DR8 트랜시버의 CWDM(Coarse Division Multiplexing) 파장 요구 사항에 맞게 4개의 파장 대역으로 제공되는 칩입니다. 신뢰도가 높고 비밀폐형 패키지에 사용할 수 있는 GR-468 인증 제품입니다.

고출력 100mW 레이저 다이오드 칩

칩 테스트 및 검사 시 그립 링 Ø 150mm를 부착한 반투명 테이프를 사용합니다. 첨단 실리콘 트랜시버 설계를 1.6T까지 지원할 수 있는 미래 지향적인 기술입니다.

데이터 시트

주요 특징

  • 비냉각식 O-밴드 CWDM4용으로 설계됨

  • 비밀폐형 패키지에서 사용할 수 있는 GR-468 인증 제품

  • 탁월한 신뢰도

  • 상단 양극 및 뒷면 음극 구성

  • RoHS 준수

  • 사용 가능한 파장 - CWDM4 1270nm ~ 1330nm

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