Werkstoffe

Reaktionsgebundenes SiC

Beschaffen Sie RB-SiC-Komponenten nahezu jeder Größe und Form, die nach Bedarf angepasst werden können, einschließlich hoher Ebenheit, großer Infiltrationstiefe und interner Kühlkanäle.

RB-SiC bietet eine einzigartige Kombination physikalischer Eigenschaften – hohe Temperaturbeständigkeit, niedriger WAK, chemische Inertheit, hohe Festigkeit und ein gutes Verhältnis von Festigkeit zu Gewicht – für Anwendungen in der Hochspannungselektronik, im Halbleiterwerkzeugbau und anderen Bereichen.

Reaktionsgebundenes SiC – Eigenschaften

Wählen Sie aus einer Reihe von RB-SiC-Substratmaterialien, die für verschiedene mechanische, thermische und elektrische Eigenschaften optimiert sind.

Eigenschaft

SSC-702

SSC-802

SSC-902

SSC-HTC

SSC-FG

(Feinkörniges SiSiC)

HSC-702

(Si/SiC+Al)

TSC-15

(Si/SiC + Ti)

RBBC-751

(B4C/SiC/Si)

SiCAM 700

SiCAM 800

SiC-Gehalt (Vol. %)

70

80

90

78

70

70

80

70B4C

10SiC

70

80

Si-Gehalt (Vol. %)

30

20

10

22

30

30

20

20

30

20

Schüttdichte (g/cm³)

2.95

3.00

3.12

3.02

2.94

3.01

3.13

2.56

2.95

3.00

Youngscher Modul (GPa) [E]

350

380

410

373

330

330

390

400

345

365

Querkontraktionszahl

0.18

0.18

0.18

0.2

0.18

0.19

0.19

0.18

0.185

0.185

Biegefestigkeit (MPa)

270

280

280

265

350

275

225

280

280

290

Bruchzähigkeit (Mpa-m1/2)

4

4

4

3.5

4

5

5

5

3.2

3.2

WAK (25–100 °C) (ppm/K)

2.9

2.9

2.7

2.9

3

4.4

3

4.8

3.2

3.1

Wärmeleit. (W/mK)

170

180

190

402

150

200

210

52

177

185

Spezifische Wärme (J/kg-K)

680

670

660

670

680

700

670

890

686

674

Spezifische Steifigkeit (E/ρ)

119

127

131

-

112

109

125

156

117

122

Thermische Stabilität (k/α)

59

62

70

-

50

45

70

11

55

60